通过激光诱导、深硅刻蚀技术实现基于玻璃基的信号传输，，，利用重布线层（RDL）和微凸点工艺，，，实现110GHz以上布线带宽，，，显著提升了信号传输效能和密度；；匹配主流四通道硅光调制芯片和电驱动芯片，，，实现4通道尺度化TGV interposer规划，，，同时兼容主流硅光芯片与电芯片的管脚界说，，，支持2.5D/3D堆叠封装技术，，，实现光电混合封装的高度集成化；；片上可集成激光直写光波导与interposer内开槽，，，实现低损耗高密度的光路扇入扇出！！。