1、选取8英寸晶圆级制作工艺，，，通过激光诱导、深硅刻蚀技术，，，重布线层（RDL）、微凸点工艺，，，可最大支持3+2层RDL，，，实现110GHz以上布线带宽；支持LPO、oDSP及有关光通讯等多样化利用场景，，，覆盖短距互联到长距传输的需要；提供4/8/12/16通道尺度化规划，，，兼容主流光芯片（如EML、VCSEL、硅光、铌酸锂）与电芯片（如DML、DRV、TIA、DSP）的管脚界说，，，支持2.5D/3D堆叠封装技术，，，实现光电混合封装的高度集成化；可集成激光直写波导与interposer内开槽结构，，，可支持与FAU、MT插芯、MCF等低损耗耦合，，，实现高密度的光路扇入扇出；具备低串扰、高速信号齐全性及超高集成度的优势，，，可有效解决超高速光引擎封装的瓶颈问题，，，成为下一代数据中心高速光互连的关键技术。